āļ§āļēāļĢāļŠāļēāļĢāļ§āļīāļāļēāļāļēāļĢāļĢāļ°āļāļąāļāļāļēāļāļī |
|
|
|
āļāļīāļĢāļąāļāļāļĢāđ āļ§āļīāļāļīāļāļāļāļąāļāļāđ, āļŠāļļāļĢāļŠāļīāļāļŦāđ āđāļāļĒāļāļļāļ, āļāļąāļāļāļ° āļĢāļąāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļļāļ āđāļĨāļ° āļāļīāđāļāļĐāļ āļĨāļīāđāļĄāļŠāļļāļ§āļĢāļĢāļ. 2551. āļāļēāļĢāļāļāļāđāļāļāđāļĨāļ°āļŠāļĢāđāļēāļāđāļāļĢāļ·āđāļāļāđāļāļĨāļ·āļāļāļĢāļ°āļāļ āļāļĩāļāļĩ āđāļĄāļāļāļĩāļāļĢāļāļ āļŠāļāļąāļāđāļāļāļĢāļīāļ āđāļāļāļāļēāđāļāļāļāļđāđ. āļ§āļēāļĢāļŠāļēāļĢāļ§āļīāļāļĒāļēāļĻāļēāļŠāļāļĢāđāļāļđāļĢāļāļē. 13(1). 14-25. M. Horprathum, P. Eiamchai, V.  Patthanasettakul, P. Chindaudom, S. Chaikhun and P. Limsuwan. 2006. Thickness dependence of TiO2 thin films prepared by D.C. reactive magnetron sputtering. KMITL Sci. J. 6(1), 202-208. āļāļīāļĢāļąāļāļāļĢāđ āļ§āļīāļāļīāļāļāļāļąāļāļāđ, āļāļīāđāļāļĐāļ āļĨāļīāđāļĄāļŠāļļāļ§āļĢāļĢāļ, āļ§āļĩāļĢāļ°āļāļāļĻāđ āļāļīāđāļ§āļāļĢāļ°āļāļīāļĐāļāđāļāļļāļĨ āđāļĨāļ° āļŠāļļāļĢāļŠāļīāļāļŦāđ āđāļāļĒāļāļļāļ. āļāļēāļĢāļ§āļąāļāļāļ§āļēāļĄāļŦāļāļēāļāļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļāļāļāļģāļāļķāđāļāđāļāļĨāļ·āļāļāļāļāđāļāđāļāđāļāđāļ§āļāđāļ§āļĒāđāļāļāļāļīāļāļāļēāļĢāđāļĢāļ·āļāļāļĢāļąāļāļŠāļĩāđāļāļāļāđ. āļ§āļēāļĢāļŠāļēāļĢāļ§āļīāļāļąāļĒāđāļĨāļ°āļāļąāļāļāļē āļĄāļāļ. 24(3) āļāļĒ.-āļāļ.2544.299-310. āļāļīāļĢāļąāļāļāļĢāđ āļ§āļīāļāļīāļāļāļāļąāļāļāđ, āļāļąāļāļāļ° āļĢāļąāļāļāļ§āļēāļĄāļŠāļļāļ āđāļĨāļ° āļāļīāđāļāļĐāļ āļĨāļīāđāļĄāļŠāļļāļ§āļĢāļĢāļ. āļŠāļĄāļāļąāļāļīāļāļēāļāđāļŠāļāļāļāļāļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāđāļāļīāļāđāļĨāļ°āļāļīāļĨāđāļĄāļāļēāļāđāļāļīāļāđāļāļ·āļāļāļĩāđāđāļāļĨāļ·āļāļāļāđāļ§āļĒ āļāļĩāļāļĩ āļāļąāļāļāļēāļĨāļēāļāļāđ āđāļĄāļāļāļĩāļāļĢāļāļ āļŠāļāļąāļāđāļāļāļĢāļīāļ. āļ§āļēāļĢāļŠāļēāļĢāļĄāļŦāļēāļ§āļīāļāļĒāļēāļĨāļąāļĒāļāļąāļāļĐāļīāļ. 9(1) āļĄāļ.-āļĄāļīāļĒ.2549. 19-26.
|
Last Updated ( Friday, 05 February 2016 08:10 )
|